ON Semiconductor lancéiert 7. Generatioun IGBT Modul fir erneierbar Energieapplikatiounen z'ënnerstëtzen

ON Semiconductor huet seng siwent Generatioun 1200V QDual3 isoléiert Gate bipolare Transistor (IGBT) Kraaftmodul verëffentlecht. De Modul huet eng méi héich Kraaftdicht an eng Ausgangskraaft déi 10% méi héich ass wéi ähnlech Produkter. De QDual3 Modul baséiert op der neier Feldstopp 7.