Qiangyi Semiconductori IPO kogub teadus- ja arendustegevuse ning tootmisprojektide jaoks 1,5 miljardit jüaani

Qiangyi Semiconductor (Suzhou) Co., Ltd. plaanib IPO raames koguda 1,5 miljardit jüaani, peamiselt Nantongi sondikaardi uurimis- ja arendus- ja tootmisprojekti (1,2 miljardit jüaani) ning Suzhou peakorteri ning teadus- ja arenduskeskuse ehitusprojekti (300 miljonit jüaani) jaoks. Selle rahastamisega loodab ettevõte kindlustada oma tehnilised eelised mittesalvestusvaldkondades, saavutada tehnoloogilisi läbimurdeid ladustamise valdkonnas ning laiendada 2D MEMS-sondikaartide, õhukese kilega sondikaartide ja 2,5D MEMS-sondikaartide tootmis- ja tootmisvõimalusi. suurendada erinevate toodete konkurentsivõimet selles valdkonnas.