MACOM nis projektin e zhvillimit të teknologjisë GaN-on-SiC

67
MACOM kohët e fundit njoftoi se do të udhëheqë një projekt për të zhvilluar nitridin e galiumit në teknologjinë e karbitit të silikonit (GaN-on-SiC) për aplikimet e radiofrekuencës (RF) dhe mikrovalëve. Qëllimi kryesor i projektit është zhvillimi i proceseve të prodhimit të gjysmëpërçuesve për materialet e bazuara në nitrid galium dhe MMIC për të mundësuar funksionimin efikas në tensione të larta dhe frekuenca të valëve milimetrike (mmW).