Проект упаковки модулів Power Semiconductor Anjian Semiconductor підписаний і погоджений у Чжецзяні

20 травня компанія Anjian Semiconductor оголосила, що її «проект упаковки силових напівпровідникових модулів» було підписано та завершено в зоні економічного розвитку Хайнін, Чжецзян, із загальним обсягом інвестицій у 100 мільйонів юанів. Проект спрямований на створення лінії з виробництва упаковки модулів IGBT і SiC автомобільного класу. Компанію Anjian Semiconductor було засновано в липні 2021 року. Зараз вона досягла масового виробництва трьох лінійок продуктів: IGBT, SGT-MOS і SJ-MOS, а також випустила 1200 В-17 мОм SiC MOSFET з повністю незалежними правами власності.