Gobierno Municipal Xiamen ha Hangzhou Silan Microelectronics ofirma peteî acuerdo de cooperación estratégica

Gobierno Municipal Xiamen ha Gobierno Distrito Haicang ofirma peteî acuerdo de cooperación Hangzhou Silan Microelectronics ndive omopu'ã haguã línea de producción chip de fabricación dispositivo de potencia SiC 8 pulgadas Distrito Haicang-pe oproducíva principalmente SiC-MOSFETs. Pe inversión total peteĩha fase-pe ha’e 7.000 millones de yuanes, ha pe inversión mokõiha fase-pe ha’e 5.000 millones de yuanes. Silan Micro omopyenda peteî empresa proyecto Distrito Haicang orekóva capital registrado 60 millones de yuanes.