Hong Kong Science and Technology Parks og JP Semiconductor skrifuðu undir samkomulag um samstarf

Hong Kong Science and Technology Parks og Jie Square Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. undirrituðu samkomulag um samstarf. Aðilarnir tveir munu koma á fót alþjóðlegri rannsókna- og þróunarmiðstöð með áherslu á þriðju kynslóðar hálfleiðara í Hong Kong Science Park og fjárfesta í opnun á. Fyrsta SiC 8 tommu háþróaða lóðrétt samþætta oblátafabið. Heildarfjárfesting í verkefninu er um það bil 6,9 milljarðar HKD. Gert er ráð fyrir að framleiða 240.000 SiC-skífur árlega árið 2028, sem skilar árlegu framleiðsluverðmæti upp á meira en 11 milljarða HK og skapar meira en 700 störf.