Модуль карбіду кремнію на 800 В від Zhixin Semiconductor має конкурентні переваги

Модуль карбіду кремнію 800 В від Zhixin Semiconductor використовує процес спікання нано-срібла та технологію з’єднання міді, завдяки чому він має кращі характеристики розсіювання тепла, більший опір напрузі та ефективність перетворення енергії, збільшену на 3%. Крім того, в порівнянні з іноземною продукцією з такою ж продуктивністю, вартість цього модуля знижена на 30%.