Tianyue Avanzado SiC Sustrato Capacidad Okakuaáva

Tianyue Advanced capacidad de producción mensual umi sustrato SiC ha'e haimete 5.583 pieza. Empresa oreko plan ohasávo proyecto material semiconductor carburo de silicio ha oñeha'ãrõ omoî primera fase proyecto producción mbohapýha trimestre 2022 ha ohupyty producción completa ary 2026. Upérõ, orekóta capacidad de producción anual 300.000 6 -pulgada conductor umi sustrato SiC rehegua.