การเติบโตของกำลังการผลิตพื้นผิว SiC ขั้นสูงของ Tianyue

กำลังการผลิตซับสเตรต SiC ของ Tianyue Advanced ต่อเดือนอยู่ที่ประมาณ 5,583 ชิ้น บริษัทวางแผนที่จะผ่านโครงการวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ และคาดว่าจะเริ่มการผลิตเฟสแรกของโครงการได้ในไตรมาสที่ 3 ปี 2565 และจะผลิตเต็มจำนวนในปี 2569 จากนั้นจะมีกำลังการผลิต 300,000 รายต่อปี พื้นผิว SiC ที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้าขนาดนิ้ว