Puxing Electronics משקיעה 350 מיליון כדי להרחיב את קיבולת הייצור של פרוסות SiC epitaxial

Puxing Electronics הודיעה על השקעה של 350 מיליון יואן להרחבת כושר הייצור של פרוסות SiC אפיטקסיות בגודל 6 אינץ'. הפרויקט מתכנן לבנות קו ייצור בשטח של כ-4,000 מ"ר ולרכוש 116 יחידות (סטים) של SiC epitaxy וציוד נלווה. צפוי כי לאחר השלמתו, החברה תשיג את היעד של ייצור שנתי של 240,000 פרוסות SiC epitaxial. Puxing Electronics מפתחת SiC מאז 2016 והשיגה ייצור המוני של פרוסות SiC אפיטקסיות בגודל 6 אינץ' ב-2019. נכון להיום, החברה מייצרת בעיקר מוצרי 1200V MOS, שעברו אימות ברמת תקנת הרכב ומשמשים במודולי הנעה ראשיים של רכבי אנרגיה חדשים. Puxing Electronics מתכננת להאיץ את התרחבותה של 8 אינץ' SiC epitaxy ולהציג את המחקר והפיתוח של חומרי מוליכים למחצה מהדור הרביעי.