Puxing Electronics investerer 350 millioner kroner for å utvide produksjonskapasiteten for SiC epitaksial wafer

Puxing Electronics annonserte en investering på 350 millioner yuan for å utvide produksjonskapasiteten til 6-tommers SiC epitaksiale wafere. Prosjektet planlegger å bygge en produksjonslinje med et areal på ca. 4000 kvadratmeter og kjøpe 116 enheter (sett) med SiC-epitaksi og relatert utstyr. Det forventes at selskapet etter ferdigstillelse vil nå målet om årlig produksjon av 240 000 SiC epitaksiale wafere. Puxing Electronics har utviklet SiC siden 2016 og oppnådde masseproduksjon av 6-tommers SiC epitaksiale wafere i 2019. For tiden produserer selskapet hovedsakelig 1200V MOS-produkter, som har bestått kjøretøyreguleringsnivåverifisering og brukes i hoveddrivmoduler til nye energikjøretøyer. Puxing Electronics planlegger å akselerere utvidelsen av 8-tommers SiC-epitaksi og legge ut forskning og utvikling av fjerdegenerasjons halvledermaterialer.