Het SiC-substraatproject en het poederproject van Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. hebben de acceptatie-inspectie met succes doorstaan

Onlangs hebben het SiC-substraatproject en het poederproject van Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. met succes de acceptatie-inspectie doorstaan. Het SiC-substraatproject is het derde fase-bouwproject van de eerste SiC-substraatproductielijn van het bedrijf, gelegen in de Baoding National High-tech Industrial Development Zone. Na bijna zeven jaar ontwikkeling werd in februari 2024 de acceptatie-inspectie succesvol afgerond, wat aangeeft dat de productielijn volledig in productie is genomen.