Changgeng Jinjing Semiconductor-Grad High-Purity Silicon Material Projet fänkt de Bau am Shuozhou Low-Carbon Silicon Core Industrial Park un

Den 11. Abrëll huet de Changgeng Jinjing Semiconductor-grade High-Purity Silicon Material Project eng banebriechend Zeremonie am Shuozhou Low-Carbon Silicon Core Industrial Park ofgehalen. De Gemengeparteikomiteesekretär Jiang Siqing war bei der banebriechend Zeremonie deelgeholl an huet de Start vum Projet ugekënnegt. De Projet huet eng Gesamtinvestitioun vun US $ 135 Milliounen a gëtt erwaart all Joer 100.000 Tonnen Halbleiter-Grad High Purity Silizium ze produzéieren.