Samsung Electronics berjaya membangunkan teknologi memori NAND Flash bertindan 400 lapisan

Menurut laporan media Korea, Samsung Electronics telah berjaya menyelesaikan pembangunan teknologi memori NAND Flash bertindan 400 lapisan di institut penyelidikan semikonduktornya. Teknologi ini telah dipindahkan ke pengeluaran berskala besar di Kilang Pyeongtaek Park No. 1. Pembangunan teknologi ini akan membolehkan Samsung mengekalkan kedudukan utamanya dalam teknologi NAND Flash, mendahului SK Hynix, yang telah mengumumkan rancangan untuk mengeluarkan NAND Flash 321-lapisan secara besar-besaran. Samsung Electronics merancang untuk memperkenalkan memori TLC NAND Flash bertindan berkapasiti 1Tb 400-lapisan secara terperinci di Persidangan Litar Keadaan Pepejal Antarabangsa pada Februari 2025, dan dijangka memulakan pengeluaran besar-besaran pada separuh kedua 2025.