Xinchen Semiconductor erfollegräich nei Epitaxial Ausrüstung a Produktioun gesat

Xinchen Semiconductor (Suzhou) Co., Ltd. huet viru kuerzem erfollegräich nei Epitaxial Ausrüstung a Produktioun gesat, déi Galliumarsenid (GaAs) an Indiumphosphid (InP) optesch Chip quaternär Verbindung all-Material Systemer iwwerdeckt. D'Firma huet d'Massproduktioun vun epitaxialen Waferen am Wellelängteberäich vu 760nm bis 1700nm erreecht, an d'epitaxial Uniformitéit ass bannent 2nm ausserhalb vun der Laserzentrumwellelängt erreecht. Typesch Laser Chip epitaxial Wafere, wéi 808, 850, 905, 940, 1064, 1550, an 1654nm, goufen duerch VCSEL oder DFB Chips an hiren eegene Produktiounslinnen verifizéiert.