Xinchen Semiconductor puso en producción con éxito un nuevo equipo epitaxial

Xinchen Semiconductor (Suzhou) Co., Ltd. ha puesto recientemente en producción con éxito nuevos equipos epitaxiales, que cubren sistemas de todos materiales compuestos cuaternarios de chips ópticos de arseniuro de galio (GaAs) y fosfuro de indio (InP). La compañía ha logrado la producción en masa de obleas epitaxiales en el rango de longitud de onda de 760 nm a 1700 nm, y la uniformidad epitaxial ha alcanzado dentro de los 2 nm fuera de la longitud de onda del centro láser. Las obleas epitaxiales de chips láser típicas, como 808, 850, 905, 940, 1064, 1550 y 1654 nm, han sido verificadas por chips VCSEL o DFB en sus propias líneas de producción.