शिनचेन सेमीकंडक्टर ने सभी सामग्री प्रणालियों को कवर करते हुए नए एपिटैक्सियल उपकरण के स्टार्ट-अप की घोषणा की

शिनचेन सेमीकंडक्टर ने घोषणा की कि उसके नए एपिटैक्सियल उपकरण को आधिकारिक तौर पर उत्पादन में डाल दिया गया है, जिसमें गैलियम आर्सेनाइड (GaAs) और इंडियम फॉस्फाइड (InP) ऑप्टिकल चिप क्वाटरनेरी कंपाउंड ऑल-मटेरियल सिस्टम शामिल हैं। वर्तमान में, कंपनी ने 760 एनएम से 1700 एनएम तक तरंग दैर्ध्य रेंज में एपिटैक्सियल वेफर्स का बड़े पैमाने पर उत्पादन सफलतापूर्वक हासिल कर लिया है, और लेज़िंग सेंटर तरंग दैर्ध्य के बाहर 2 एनएम के भीतर एपिटैक्सियल एकरूपता को नियंत्रित किया जाता है। इसके अलावा, 808, 850, 905, 940, 1064, 1550 और 1654 एनएम जैसे विशिष्ट तरंग दैर्ध्य वाले लेजर चिप एपिटैक्सियल वेफर्स को वीसीएसईएल या डीएफबी चिप्स के लिए स्वतंत्र उत्पादन लाइनों में सफलतापूर्वक सत्यापित किया गया है।