Xinta Electronicsi teise põlvkonna SiC MOSFET saavutab tööstusharu juhtpositsiooni

Xinta Electronics on edukalt masstootnud teise põlvkonna SiC MOSFET-i. See tooteseeria on saavutanud märkimisväärseid tulemusi seadme eelisteguri ja värava risttalitluse vastase jõudluse osas, olles saanud tööstusharu liidriks. Samal ajal on Xinta Electronicsi eelseisev kolmanda põlvkonna SiC MOSFET saavutanud suuri tehnoloogilisi uuendusi rakutasandil ja selle üldist jõudlust on veelgi paranenud.