Druhá generace SiC MOSFET společnosti Xinta Electronics dosáhla vedoucího postavení v oboru

Xinta Electronics úspěšně sériově vyrobila druhou generaci SiC MOSFETu. Tato řada produktů dosáhla pozoruhodných výsledků, pokud jde o výkon zařízení a ochranu proti přeslechu, a stala se lídrem v oboru. Současně připravovaná třetí generace SiC MOSFET společnosti Xinta Electronics dosáhla významných technologických inovací na úrovni článků a jejich celkový výkon byl dále vylepšen.