Xinta Electronics' anden generation af SiC MOSFET opnår industrilederskab

Xinta Electronics har med succes masseproduceret anden generation af SiC MOSFET. Denne serie af produkter har opnået bemærkelsesværdige resultater med hensyn til enhedens værdifaktor og gate-anti-krydstale-ydeevne, og er blevet førende i branchen. Samtidig har Xinta Electronics’ kommende tredjegenerations SiC MOSFET opnået store teknologiske innovationer på celleniveau, og dens overordnede ydeevne er blevet yderligere forbedret.