Хятадын Электроникийн Технологийн (Шанси) SiC материалын үйлдвэрлэлийн баазын хоёр дахь шатны төслийн танилцуулга.

Хятадын Электроникийн Технологийн (Шанси) SiC материалын аж үйлдвэрийн бааз төслийн хоёрдугаар үе шат 2023 оны 9-р сард баригдаж эхлэх бөгөөд одоогоор үйлдвэрт тоног төхөөрөмж оруулах нөхцөл бүрдэж байна. Энэхүү төсөл нь нийт 500 сая юанийн хөрөнгө оруулалттай бөгөөд голдуу 16 мянган хавтгай дөрвөлжин метр талбай бүхий иж бүрэн үйлдвэрийн барилга, тухайлбал нэг талст үйлдвэрлэлийн цех, цахилгаан хангамжийн байгууламж гэх мэт. Жилд 300,000 хүртэл SiC субстрат үйлдвэрлэх хүчин чадалтай 2025 онд үйлдвэрлэлд оруулахаар төлөвлөж байна.