Jita Semiconductor un Ningbo Anjian Semiconductor ir panākuši sadarbību, lai kopīgi izstrādātu SiC ierīces

Jita Semiconductor ir panākusi sadarbības līgumu ar Ningbo Anjian Semiconductor Co., Ltd. (sauktu par Anjian Semiconductor), lai kopīgi izstrādātu SiC ierīces. Pēc Anjian pusvadītāju moduļu ražošanas līnijas apmeklējuma abas puses apsprieda produktu vajadzības un turpmākos attīstības projektus, kā arī nolēma paātrināt plakanās silīcija karbīda (SiC) MOS ierīču izstrādi un sadarboties, lai izstrādātu jaunas paaudzes tranšeju SiC MOS ierīces. Vienlaikus abas puses arī ierosinās augstākās klases FRD produktu izstrādi, kuru pamatā ir 8 collu vafeles un ūdeņraža iesmidzināšanas procesi.