Koguinvesteering Mesk Electronicsi projekti, mille eesmärk on toota 3,6 miljonit 8-tollist räni epitaksiaalplaati aastas, on umbes 1,4 miljardit jüaani.

Koguinvesteering Mesko Electronicsi projekti, mille eesmärk on toota 3,6 miljonit 8-tollist räni epitaksiaalplaati aastas, ületab 1,4 miljardit jüaani, mille ehituspind on üle 50 000 ruutmeetri. Pärast projekti lõppu toodab see igal aastal 3,6 miljonit 8-tollist räni epitaksiaalset plaati, mis aitab Henanil haarata juhtpositsiooni esilekerkivates tööstusharudes ja edendada pooljuhtmaterjalide lokaliseerimise jõulist arengut.