Hebei Puxing Electronic Technology lança projeto de industrialização de wafer epitaxial de carboneto de silício com defeito de baixa densidade de 6 polegadas

Hebei Puxing Electronic Technology Co., Ltd. anunciou o lançamento do "projeto de industrialização de wafer epitaxial de carboneto de silício defeituoso de baixa densidade de 6 polegadas. O projeto conduzirá a primeira divulgação de informações de avaliação de impacto ambiental". O investimento total do projeto chega a 350,7016 milhões de yuans. Será reformado e ampliado na fábrica nº 1 da empresa, com área de construção de cerca de 4.000 metros quadrados, 116 conjuntos (conjuntos) de equipamentos epitaxiais de carboneto de silício (SiC). equipamentos de suporte serão adquiridos para formar uma linha de produção de material epitaxial SiC com defeito de baixa densidade de 6 polegadas. Após a conclusão do projeto, espera-se atingir uma capacidade de produção anual de 240.000 wafers epitaxiais de SiC.