Jiangxi Gangfeng Tecnología capacidad de producción anual 400.000 pieza proyecto sustrato SiC evaluación impacto ambiental omoherakuãva

Jiangxi Gangfeng Technology oikuaauka nda'areiete marandu evaluación impacto ambiental orekóva proyecto de construcción epitaxial sustrato semiconductor tercera generación (Fase I) orekóva producción anual 400.000 pieza. Ko proyecto oreko peteî área 83.060,76 metros cuadrados ha oreko inversión total 4.500 millones de yuanes Hembipotápe omopu'ã línea de producción sustrato semiconductor SiC ha instalaciones fábrica ojoajúva. Oñemohu'ã rire proyecto, oñeha'ãrõ oreko capacidad de producción anual 400.000 pieza epitaxia sustrato semiconductor tercera generación. Jiangxi Gangfeng he'i ko movimiento hembipotápe oime ombohovái demanda mercado umi material sustrato semiconductor de alto rendimiento ha omokyre'ÿva innovación tecnológica empresa ha mejora industrial ámbito semiconductor-pe.