A Jiangxi Gangfeng Technology éves gyártási kapacitása 400 000 darab SiC szubsztrát projekt környezeti hatásvizsgálati bejelentése

A Jiangxi Gangfeng Technology a közelmúltban jelentette be a harmadik generációs félvezető szubsztrát epitaxiális építési projektjének (I. fázis) környezeti hatásvizsgálati információit, amelynek éves termelése 400 000 darab. A projekt területe 83 060,76 négyzetméter, és teljes beruházása 4,5 milliárd jüan. Célja egy SiC félvezető hordozó gyártósor és a kapcsolódó gyári létesítmények felépítése. A projekt befejezése után várhatóan 400 000 darab harmadik generációs félvezető szubsztrát epitaxia éves gyártási kapacitása lesz. Jiangxi Gangfeng kijelentette, hogy ennek a lépésnek a célja a nagy teljesítményű félvezető hordozóanyagok iránti piaci kereslet kielégítése, valamint a vállalat technológiai innovációjának és ipari korszerűsítésének előmozdítása a félvezetők területén.