Roczna zdolność produkcyjna Jiangxi Gangfeng Technology na poziomie 400 000 sztuk podłoża SiC Ogłoszenie o ocenie oddziaływania projektu na środowisko

Firma Jiangxi Gangfeng Technology ogłosiła niedawno informacje dotyczące oceny oddziaływania na środowisko swojego projektu epitaksjalnej konstrukcji trzeciej generacji na podłożu półprzewodnikowym (faza I) o rocznej produkcji 400 000 sztuk. Projekt zajmuje powierzchnię 83 060,76 metrów kwadratowych, a łączna wartość inwestycji wynosi 4,5 miliarda juanów. Ma na celu budowę linii produkcyjnej substratów półprzewodnikowych SiC i powiązanych obiektów fabrycznych. Oczekuje się, że po zakończeniu projektu jego roczna zdolność produkcyjna wyniesie 400 000 sztuk epitaksji do podłoża półprzewodnikowego trzeciej generacji. Jiangxi Gangfeng powiedział, że posunięcie to ma na celu zaspokojenie zapotrzebowania rynku na wysokowydajne półprzewodnikowe materiały substratowe oraz promowanie innowacji technologicznych firmy i modernizacji przemysłowej w dziedzinie półprzewodników.