Jiangxi Gangfeng Technology seng jährlech Produktiounskapazitéit vu 400.000 Stéck SiC Substratprojet Ëmweltimpakt Bewäertung Ukënnegung

Jiangxi Gangfeng Technology huet viru kuerzem d'Ëmweltimpakt Bewäertungsinformatioun vu sengem Drëtt-Generatioun Semiconductor Substrat Epitaxial Bauprojet (Phase I) mat engem jährlechen Output vu 400,000 Stécker ugekënnegt. De Projet deckt eng Fläch vun 83,060,76 Quadratmeter an huet eng Gesamtinvestitioun vu 4,5 Milliarden Yuan Et zielt fir eng SiC Hallefleit Substrat Produktiounslinn a verbonne Fabrécksanlagen ze bauen. Nodeems de Projet ofgeschloss ass, gëtt erwaart eng jährlech Produktiounskapazitéit vu 400.000 Stéck Drëtt-Generatioun Hallefleit Substrat-Epitaxie ze hunn. Jiangxi Gangfeng sot datt dës Beweegung zielt fir d'Nofro vum Maart fir High-Performance Semiconductor Substratmaterialien z'erreechen an d'technologesch Innovatioun an d'Industrie Upgrade vun der Firma am Halbleiterfeld ze förderen.