Anuncio de evaluación de impacto ambiental del proyecto de sustrato de SiC sobre la capacidad de producción anual de Jiangxi Gangfeng Technology de 400.000 piezas

Jiangxi Gangfeng Technology anunció recientemente la información de la evaluación de impacto ambiental de su proyecto de construcción epitaxial de sustrato semiconductor de tercera generación (Fase I) con una producción anual de 400.000 piezas. El proyecto cubre un área de 83.060,76 metros cuadrados y tiene una inversión total de 4.500 millones de yuanes. Su objetivo es construir una línea de producción de sustratos semiconductores de SiC e instalaciones fabriles relacionadas. Una vez completado el proyecto, se espera que tenga una capacidad de producción anual de 400.000 piezas de epitaxia de sustrato semiconductor de tercera generación. Jiangxi Gangfeng dijo que esta medida tiene como objetivo satisfacer la demanda del mercado de materiales de sustrato semiconductor de alto rendimiento y promover la innovación tecnológica y la actualización industrial de la compañía en el campo de los semiconductores.