Jiangxi Gangfeng Technologyn vuotuinen tuotantokapasiteetti on 400 000 kappaletta piikarbidialustaa projektin ympäristövaikutusten arvioinnin ilmoitus

Jiangxi Gangfeng Technology julkisti äskettäin ympäristövaikutusten arviointitiedot kolmannen sukupolven puolijohdesubstraattien epitaksiaalisesta rakennusprojektistaan ​​(vaihe I), jonka vuosituotanto on 400 000 kappaletta. Hankkeen pinta-ala on 83 060,76 neliömetriä, ja sen kokonaisinvestointi on 4,5 miljardia yuania. Sen tavoitteena on rakentaa piikarbidipuolijohdesubstraattien tuotantolinja ja siihen liittyvät tehdastilat. Projektin päätyttyä sen vuotuisen tuotantokapasiteetin odotetaan olevan 400 000 kappaletta kolmannen sukupolven puolijohdesubstraattiepitaksia. Jiangxi Gangfeng sanoi, että tällä siirrolla pyritään vastaamaan markkinoiden kysyntään korkean suorituskyvyn puolijohdesubstraattimateriaalien osalta ja edistämään yhtiön teknologista innovaatiota ja teollista päivitystä puolijohdealalla.