英飛凌科技推出新一代碳化矽（SiC）MOSFET溝槽柵技術

英飛凌科技推出新一代碳化矽（SiC）MOSFET溝槽柵極技術，該技術將MOSFET的主要效能指標提高了20%，從而提高了能源效率和推動低碳化進程。 CoolSiC MOSFET新一代G2技術將持續發揮碳化矽的性能優勢，降低能量損耗，並提高功率轉換過程中的效率。