স্যামসাং ইলেকট্রনিক্স এই বছরের ডিসেম্বরে ষষ্ঠ-প্রজন্মের 10nm-শ্রেণীর DRAM-এর ব্যাপক উত্পাদন শুরু করার পরিকল্পনা করেছে

স্যামসাং ইলেকট্রনিক্স এই বছরের ডিসেম্বরে গ্রাহকের শংসাপত্র গ্রহণ করার এবং ষষ্ঠ-প্রজন্মের 10nm-শ্রেণীর DRAM-এর ব্যাপক উত্পাদন শুরু করার পরিকল্পনা করেছে। এই পণ্যটি একটি কাটিং-এজ এক্সট্রিম আল্ট্রাভায়োলেট (EUV) লিথোগ্রাফি প্রক্রিয়া ব্যবহার করবে, যা উচ্চতর নেট ডাই অর্জন করতে পারে (প্রতি ওয়েফারে উৎপাদিত চিপগুলির সংখ্যা) এবং পূর্ববর্তী পঞ্চম-প্রজন্মের 10nm-শ্রেণীর পণ্যগুলিকে উন্নত করতে পারে৷