Samsung Electronics планує розпочати масове виробництво DRAM шостого покоління класу 10 нм у грудні цього року

Samsung Electronics планує прийняти сертифікацію клієнтів і почати масове виробництво шостого покоління 10-нанометрової пам’яті DRAM у грудні цього року. У цьому продукті використовуватиметься передовий процес екстремальної ультрафіолетової (EUV) літографії, який може досягти вищої чистої матриці (кількість мікросхем, яку можна виготовити на одну пластину) і покращити ефективність попередніх продуктів п’ятого покоління класу 10 нм.