Guangzhou Nansha Wafer, Core Yueneng an aner Firmen förderen d'Entwécklung vun der Siliziumkarbidindustrie

Nansha Wafer huet investéiert an e Siliziumkarbidprojet am Nansha Distrikt, Guangzhou, mat enger Gesamtinvestitioun vun 900 Milliounen Yuan, nodeems d'Produktioun erreecht gouf, kann d'Joresproduktioun 200.000 Substratwafers erreechen. Zousätzlech huet d'Nansha Wafer och e SiC Produktiounsexpansiounsbasisprojet zu Jinan, Shandong Provënz etabléiert, a gëtt erwaart voll Produktioun am Joer 2025 z'erreechen. Eng aner Firma, Xinyue Energy, huet och 3,5 Milliarden Yuan investéiert fir e Siliziumkarbidchipprojet am Nansha Distrikt, Guangzhou ze bauen. wäert eng jäerlech Produktioun vun 240.000 8-Zoll Silicon Carbide Wafere bauen. Am Moment ass de Xinyue Energy Projet ofgeschloss an an d'Produktioun gesat ginn, mat enger monatlecht Produktiounskapazitéit vun 10.000 Siliziumkarbidwafere goufen erfollegräich ofgeschnidden a gepréift, an d'Performanceparameter vum Chip waren excellent.