Firma Baishi Electronics zakończyła rundę finansowania A+ mającą na celu przyspieszenie projektowania epitaksji półprzewodników trzeciej generacji

Nanjing Baishi Electronic Technology Co., Ltd. (zwana dalej „Baishi Electronics”) zakończyła rundę finansowania A+ przy udziale wielu znanych instytucji. Przyspieszona zostanie produkcja półprzewodnikowych płytek epitaksjalnych trzeciej generacji. Obecnie firma może dostarczyć 6-calowe i 8-calowe płytki epitaksjalne SiC/GaN, spośród których wafle epitaksjalne z węglika krzemu 3300 V osiągnęły wysoką wydajność i wysoką jakość produkcji.