توصلت شركة Hitachi وSagar Semi إلى تعاون لتطوير SiC/IGBT وأجهزة أخرى بشكل مشترك

وقعت شركة هيتاشي لأشباه الموصلات للطاقة (HPSD)، وهي شركة تابعة لمجموعة هيتاشي، اتفاقية تعاون مع شركة Sagar Semiconductors الهندية (Sagar Semi) للقيام بشكل مشترك بالبحث والتطوير ومبيعات الأجهزة عالية الطاقة مثل IGBT وSiC، بالإضافة إلى نقل تكنولوجيا الثنائيات عالية الجهد. تخطط شركة Sagar Semi لبناء مصنع لأشباه موصلات الطاقة ذات الجهد العالي، وقد وافقت شركة Hitachi Power Semiconductor على النظر في نقل المرافق ذات الصلة وتقنيات التصنيع ذات الصلة للعمليات الأمامية والخلفية بأكملها. بالإضافة إلى ذلك، ستساعد شركة Hitachi Power Semiconductor أيضًا شركة Sagar Semi في تدريب موظفيها في الهند واليابان، وفي المستقبل، ستصل الطاقة الإنتاجية السنوية للمصنع إلى 100 مليون وحدة. وستركز الشركتان على تطوير حلول أشباه موصلات الطاقة المصممة خصيصًا مثل SiC/IGBT للتكنولوجيات الناشئة في الهند، مع التركيز على صناعات مثل السلع البيضاء وحلول تخزين الطاقة والسكك الحديدية.