Hitachi နှင့် Sagar Semi သည် SiC/IGBT နှင့် အခြားသော စက်ပစ္စည်းများကို ပူးတွဲတီထွင်ရန်အတွက် ပူးပေါင်းဆောင်ရွက်မှုသို့ ရောက်ရှိခဲ့ပါသည်။

Hitachi Group ၏ လုပ်ငန်းခွဲတစ်ခုဖြစ်သည့် Hitachi Power Semiconductor (HPSD) သည် India's Sagar Semiconductors (Sagar Semi) နှင့် ပူးပေါင်းဆောင်ရွက်မည့် IGBT နှင့် SiC ကဲ့သို့သော ပါဝါမြင့်စက်ပစ္စည်းများဖြစ်သည့် IGBT နှင့် SiC တို့ကို သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးနှင့် ရောင်းချခြင်းတို့ကို ပူးတွဲလုပ်ဆောင်ရန်၊ ဗို့အားမြင့် diodes များ၏နည်းပညာလွှဲပြောင်း။ Sagar Semi သည် ဗို့အားမြင့်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်ရုံကိုတည်ဆောက်ရန်စီစဉ်နေပြီး Hitachi Power Semiconductor သည် ရှေ့ပိုင်းနှင့် နောက်တန်းလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုလုံးအတွက် ဆက်စပ်ပစ္စည်းများနှင့် ဆက်စပ်ထုတ်လုပ်ရေးနည်းပညာများကို လွှဲပြောင်းပေးရန် စဉ်းစားရန်သဘောတူခဲ့သည်။ ထို့အပြင် Hitachi Power Semiconductor သည် Sagar Semi သည် ၎င်း၏ဝန်ထမ်းများအား အိန္ဒိယနှင့် ဂျပန်နိုင်ငံတို့တွင် လေ့ကျင့်သင်ကြားပေးမည်ဖြစ်ပြီး အနာဂတ်တွင် စက်ရုံ၏ နှစ်စဉ်ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်သည် အလုံးရေ သန်း 100 အထိရှိလာမည်ဖြစ်သည်။ ကုမ္ပဏီနှစ်ခုသည် အိန္ဒိယနိုင်ငံတွင် ပေါ်ထွက်နေသော နည်းပညာများအတွက် SiC/IGBT ကဲ့သို့သော အံဝင်ခွင်ကျဖြစ် ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြေရှင်းနည်းများကို တီထွင်ထုတ်လုပ်ရန် အာရုံစိုက်မည်ဖြစ်ပြီး၊ အဖြူရောင်ကုန်စည်များ၊ စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုဖြေရှင်းချက်များနှင့် မီးရထားလမ်းများကဲ့သို့သော စက်မှုလုပ်ငန်းများကို အာရုံစိုက်မည်ဖြစ်သည်။