Nhóm Đại học Bắc Kinh phát triển thiết bị điện dựa trên GaN với điện áp đánh thủng lớn hơn 10.000 volt

Đối mặt với những thách thức do hiệu ứng bẫy trường cao và hiệu ứng tổng hợp điện trường đặt ra, một nhóm nghiên cứu từ Đại học Bắc Kinh đã đề xuất một loại bóng bán dẫn thụ động chủ động mới và phát triển thành công một thiết bị điện dựa trên GaN ở chế độ nâng cao với điện áp đánh thủng lớn hơn 10.000 vôn. Thành tựu này là thành tựu đầu tiên thuộc loại này trên thế giới và có ý nghĩa to lớn trong việc thúc đẩy ứng dụng các thiết bị điện dựa trên GaN.