Peking University Team entwéckelt GaN-baséiert Kraaftapparat mat Decomptespannung méi wéi 10.000 Volt

Konfrontéiert mat den Erausfuerderunge vun High-field Trap Effekter an elektresch Feld Aggregatiounseffekter, huet e Fuerschungsteam vun der Peking University eng nei Aart vun aktive Passivatiounstransistor proposéiert an erfollegräich en Verbesserungsmodus GaN-baséiert Kraaftapparat mat enger Decomptespannung méi wéi 10.000 entwéckelt. volts. Dës Erreeche ass déi éischt vu senger Aart op der Welt an ass vu grousser Bedeitung fir d'Promotioun vun der Uwendung vu GaN-baséiert Kraaftapparater.