„Huaxia Semiconductor GaN“ projektas įsikūrė Ningbo mieste

Balandžio 19 d. „Huaxia Semiconductor Company“ sėkmingai pasirašė sutartį su „Beilun Development Zone Digital Economy Development Bureau“ pradėti GaN projektą Ningbo mieste. „Huaxia Semiconductor“ daugiausia dėmesio skiria puslaidininkinių integrinių grandynų tyrimams ir plėtrai bei gamybai, įskaitant tokius produktus kaip didelio grynumo elementiniai metalai ir didelio grynumo junginiai.