Праект Huaxia Semiconductor GaN пасяліўся ў Нінбо

19 красавіка Huaxia Semiconductor Company паспяхова падпісала кантракт з Бюро развіцця лічбавай эканомікі Beilun Development Zone аб запуску праекта GaN у Нінбо. Huaxia Semiconductor засяроджваецца на даследаваннях і распрацоўках і вытворчасці паўправадніковых інтэгральных схем, уключаючы такія прадукты, як элементарныя металы высокай чысціні і злучэнні высокай чысціні.