Huaxia Semiconductor GaN verkefni settist að í Ningbo

Þann 19. apríl undirritaði Huaxia Semiconductor Company samning við Beilun Development Zone Digital Economy Development Bureau um að hefja GaN verkefni í Ningbo. Huaxia Semiconductor einbeitir sér að rannsóknum og þróun og framleiðslu á hálfleiðara samþættum hringrásum, þar á meðal vörur eins og háhreina frummálma og háhreinleika efnasambönd.