Huaxia Semiconductor GaN-projekt blev etableret i Ningbo
galliumnitrid
De
Semi
De
del
vikling
forskning
forbindelse
led
Ningbo
kontrakt
ære
ur
Huaxia Semiconductor
halvleder
kontrakt
projekt
2024-12-25 22:07
0
Den 19. april underskrev Huaxia Semiconductor Company en kontrakt med Beilun Development Zone Digital Economy Development Bureau om at lancere et GaN-projekt i Ningbo. Huaxia Semiconductor fokuserer på forskning og udvikling og produktion af halvleder-integrerede kredsløb, herunder produkter som højrente elementære metaller og højrente forbindelser.
