Xiaomi SU7 kasutab 800 V ränikarbiidist kõrgepingeplatvormi, mis juhib tööstuse arengutrendi

Xiaomi SU7 on välja töötanud uhiuue 800 V ränikarbiidist kõrgepingeplatvormi, mille tipppinge on kuni 871 V. Lisaks kasutavad seda tehnoloogiat ka paljud mudelid nagu Jikrypton 007, Wenjie M9, Weilai ja Xpeng X9. Nende mudelite intensiivse turuletoomisega eeldatakse, et ränikarbiidist mudelid muutuvad tulevikus turul kiiresti populaarseks.