Anvendelse og innvirkning av svitsjeenheter med brede båndgap i motordrivsystemer

Med den raske utviklingen av elbilindustrien, blir enheter med brede båndgap som silisiumkarbid (SiC) og galliumnitrid (GaN) i økende grad brukt. Disse enhetene spiller en viktig rolle i å forbedre krafttettheten, kraftleveransen og effektiviteten til motordrivsystemer. Selv om GaN-enheter for tiden har noen emballasjerelaterte problemer, er relatert forskningsarbeid aktivt i gang. I praktiske applikasjoner bidrar enheter med brede båndgap til å oppnå høyere systemeffektivitet, men å velge riktig svitsjefrekvens krever nøye vurdering. I tillegg forventes enheter med brede båndgap å bringe innovasjon til fremtidige motorførertopologier.