Micron нь 8 давхар давхарласан 24 ГБ багтаамжтай HBM3E санах ойг үйлдвэрлэдэг
Renesas Electronics
2024 он
HBM
өр
сан
эхлэх
Өндөр
алт
хүч
хүчин чадал
тоо
зурвасын өргөн
ир
улирал
санах ой
2024-12-25 21:20
0
Micron 2024 оны хоёрдугаар улиралд 8 давхар давхарласан 24 ГБ багтаамжтай HBM3E санах ойг тээвэрлэж эхлэхээр төлөвлөж байна. Өндөр хүчин чадалтай тооцоолол, график боловсруулалтад зориулж тусгайлан бүтээгдсэн энэхүү санах ой нь өндөр зурвасын өргөн, хоцролт бага, эрчим хүч бага зарцуулдаг.
