পিকিং বিশ্ববিদ্যালয়ের দল 650V Si-ভিত্তিক GaN হাই-ভোল্টেজ ইন্টিগ্রেটেড চিপ তৈরি করেছে

পিকিং বিশ্ববিদ্যালয়ের গবেষণা দল উদ্ভাবনী ভার্চুয়াল আইসোলেশন প্রযুক্তির মাধ্যমে সফলভাবে একটি 650V Si-ভিত্তিক GaN হাই-ভোল্টেজ ইন্টিগ্রেটেড চিপ তৈরি করেছে। এই প্রযুক্তি কার্যকরভাবে উচ্চ-ভোল্টেজ সংকেতের ক্রসস্টাল প্রভাব এবং পি-চ্যানেল ট্রানজিস্টরের নিম্ন বর্তমান ঘনত্বের সমস্যা সমাধান করে।