Pasukan Universiti Peking membangunkan cip bersepadu voltan tinggi GaN berasaskan 650V Si

0
Pasukan penyelidik Universiti Peking berjaya membangunkan cip bersepadu voltan tinggi GaN berasaskan 650V Si melalui teknologi pengasingan maya yang inovatif. Teknologi ini berkesan menyelesaikan kesan crosstalk isyarat voltan tinggi dan masalah ketumpatan arus rendah transistor saluran p.