Nhóm Đại học Bắc Kinh phát triển chip tích hợp điện áp cao GaN dựa trên Si 650V

Nhóm nghiên cứu của Đại học Bắc Kinh đã phát triển thành công chip tích hợp điện áp cao GaN dựa trên Si 650V thông qua công nghệ cách ly ảo cải tiến. Công nghệ này giải quyết hiệu quả hiệu ứng xuyên âm của tín hiệu điện áp cao và vấn đề mật độ dòng điện thấp của bóng bán dẫn kênh p.