Pekin universiteti jamoasi GaN-ga asoslangan CMOS integral elektron chipini minimal uzatish kechikishi bilan amalga oshiradi

Polarizatsiyani kuchaytirgan ionlanish kontseptsiyasini taklif qilish orqali Pekin universiteti tadqiqot guruhi minimal uzatish kechikishi bilan GaN-asosidagi CMOS integral mikrosxemasi chipini muvaffaqiyatli amalga oshirdi. Ushbu texnologiya p-kanalli tranzistorlarning oqim zichligini sezilarli darajada oshiradi.